5G东风下的射频前端芯片机会(49p)

5G为射频前端产业提供更大的市场机会。随着终端支持的无线连接协议越来越多,从最初的2G网络到现在的NFC、2G/3G/4G网络、WiFi、蓝牙、FM等,通信终端的射频器件单机价值量增长了数倍。晨望未来,4G的渗透率尚未饱和,渗透率提升将继续驱动射频器件单机价值量增长。另外5G通讯为射频器件行业带来新的增长机遇,一方面射频模块需要处理的频段数量大幅增加,另一方面sub-6G、毫米波等频段信号处理难度增加,系统对滤波器性能的要求也大幅提高。

高性能射频开关应具有低插入损耗、高隔离度。射频开关主要指标有工作频率、工作带宽、插入损耗、隔离度、功率容量等,其中插入损耗和隔离度是重要性能指标。插入损耗在发射端影响输出功率,在接收端影响接收灵敏度,因此插入损耗越低越好。而对射频开关的信道隔离能有效降低系统干扰,因此隔离度越高越好。

目前GaAs射频已经形成了完整的产业链。根据Yole数据,GaAs村底生产商包括:住友电工、弗莱贝格化合物材料、AXT三家公司,2017年合计占据约95%市场份额。IQE占据了外延片50%以上的市场份额。晶圈代工方面,稳悉为全球龙头,占据了50%以上的市场份额,另有宏捷科、GCS、Waveteck等提供专业I-V族化合物半导体代工服务。

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